[부고] DRAM의 발명자 로버트 데나드 사망. 항년 91세

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2024.05.06 17:53

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17:45 KST - The Journal News - 오늘날 DRAM 메모리를 개발한 로버트 데나드(Robert Dennard)가 사망했다고 미 테크뉴스와 언론들이 보도하고 있습니다. 2024년 4월 23일 사망하였으며 향년 91세입니다.

로버트 데나드는 1966년 당시 IBM에서 금속 산화물 반도체(MOS)를 개발하고 있었지만 우연히 단일 트랜지스터 콘덴서에 충전된 플러스와 마이너스로 데이터를 기록하고 반복적인 충전을 통해 데이터를 동적으로 리프레시하면 데이터를 보관할 수 있지 않을까 하는 영감을 얻었습니다. 이 개념은 이후 DRAM의 기초가 되었습니다.

데나드와 IBM은 1966년 트랜지스터와 커패시터로 구성된 하나의 트랜지스터 메모리 셀을 개발하고 이를 특허신청했습니다. 특허는 1968년 승인되었습니다. 이 기술은 1970년 상용화 이후로 저비용,저전력,단순한 구조등으로 현대 정보통신 기술의 엄청난 발전을 이루어냈습니다.

또한 데나드는 공정이 향상됨에 따라 반도체칩의 전력 소비 밀도는 변하지 않는다는 데나드 스케일링 법칙을 제시했습니다. 이 법칙은 이후 30년 넘게 반도체 산업을 지배해 왔으며 무어의 법칙, 암달의 법칙과 함께 반도체 산업의 3대 법칙으로 불려졌습니다.

고인의 명복을 빕니다.