삼성, 메모리 초격차 굳힌다…286단 V낸드 세계 첫 양산

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2024.04.23 23:36

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소비전력 10%↓…속도 33%↑

삼성전자가 최고 적층(저장공간인 셀을 쌓아 올린 것) 단수인 286단을 적용한 ‘9세대 V(vertical·수직) 낸드플래시’ 생산에 들어갔다. 286단은 기존 제품(236단)보다 50단 높은 것으로 현 기술로 구현할 수 있는 최고 단수다. 삼성전자가 메모리반도체 경쟁력 저하에 대한 우려를 떨쳐내고 ‘기술 초격차’에 재시동을 걸었다는 평가가 나온다.

삼성전자는 23일 “‘더블 스택’ 기술로 구현할 수 있는 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다”고 발표했다. 9세대 V낸드는 현재 삼성전자의 주력 제품인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 최첨단 제품이다. SK하이닉스, 마이크론, 키오시아 등 경쟁 업체는 218~238단 제품을 판매하고 있다.

낸드 기업들은 저장공간인 셀을 여러 층 쌓아 저장 용량을 키우는 ‘적층 경쟁’을 벌이고 있다. 아파트 층수가 많을수록 더 많은 사람이 거주할 수 있는 것과 비슷한 이치다. 삼성의 9세대 V낸드는 저장 용량을 늘렸을 뿐 아니라 소비전력을 10% 줄이고, 데이터 입출력 속도(최대 3.2Gbps)는 33% 끌어올렸다. 고용량·고성능·저전력소비 낸드가 필요한 인공지능(AI)·클라우드 서버 업체의 ‘러브콜’이 쏟아질 것으로 업계가 예상하는 이유다.

눈에 띄는 것은 더블 스택 적층 기술을 활용했다는 점이다. 더블의 의미는 쌓아 올린 저장공간인 셀을 전기적으로 연결하는 ‘채널 홀’을 두 번 뚫는다는 뜻이다. 채널 홀을 적게 뚫을수록 생산성이 높아진다.

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https://www.hankyung.com/article/2024042313621