[SK하이닉스] 도쿄 일렉트론 극저온 에칭 장비 테스트중

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SK Hynix Ⓒ Nurphoto Ⓒ Getty Image


13:30 KST - The Elec - 한국의 반도체기업 SK하이닉스는 테스트용 웨이퍼를 도쿄일렉트론(TEL/Tokyo Electron)에 보내 TEL의 극저온 에칭장비를 테스트중이라고 한국매체 The Elec 이 보도하고 있습니다. TEL의 극저온 에칭장비는 기존 장비 대비 탄소배출이 적고 에칭 속도도 빠르며 향후 400단 이상 낸드 제품부터 본격 사용될 수 있을 것으로 업계는 전망하고 있다고 합니다.


반도체 공정에서 스택을 적층하는 과정은 3D 낸드 플래시 메모리의 용량을 늘리는 주요 방법입니다. 그러나 적층 숫자가 증가하는 과정에서 수직통로를 에칭하는 난이도는 높아지면서 속도는 낮아집니다.



제조사는 전체 낸드 플래시 메모리를 여러 개의 플래시 스택으로 분할하여 제조한 후 각각의 스택을 하나로 결합하는 과정에서 멀티 스택 구조가 정렬 등 새로운 문제를 야기시켜 성능, 에너지 효율이 저하되는 문제점에 봉착하고 있습니다.


TEL의 신형 저온 에칭 설비의 작업 환경 온도는 -70도로 기존 에칭 설비의 0~30도 보다 현저히 낮습니다. TEL의 새로운 극저온 에칭장비는 33분 이내에 10마이크로미터를 에칭할 수 있으며 이는 기존 장비보다 3배 빠른 속도입니다. 또한 불화수소(HF) 가스를 사용하여 기존 시스템의 불화탄소 가스에 비해 온실효과도 낮은 친환경 제조환경을 실현합니다.



The Elec은 SK하이닉스의 주요 경쟁자인 삼성전자는 TEL의 극저온 에칭장비를 아예 데모장비로 도입하여 현재 평가를 진행중이라고 덧붙였습니다.


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