HBM4E는 D1c·4나노, HBM5는 D1d·2나노로 공정 이원화

삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 고대역폭메모리(HBM)의 핵심 공정 로드맵을 공개했다. HBM4E에는 D1c 공정 기반 코어 다이와 4나노 파운드리 기반 베이스 다이를, 차세대 HBM5에는 D1d 공정과 2나노 파운드리를 적용한다는 계획이다.

17일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 'GTC 2026'에서 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 기자들과 만나 "HBM4E와 HBM5 모두 코어 다이와 베이스 다이 구조를 사용한다"며 이 같은 기술 방향을 밝혔다.

황 부사장은 "HBM4E의 코어 다이는 D1c 공정을 적용하고, 베이스 다이는 4나노 파운드리 공정을 사용한다"고 설명했다. 이어 "차세대 제품인 HBM5에는 D1d 공정 기반 코어 다이와 2나노 파운드리 공정 베이스 다이가 적용될 예정"이라고 말했다.

HBM은 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 고대역폭을 구현하는 AI 반도체 핵심 부품이다. 최근 세대부터는 메모리 코어 다이와 연산 및 인터페이스 기능을 담당하는 베이스 다이를 분리하는 구조가 적용되고 있다.

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