삼성 18나노 공정기술 유출 전 삼성 부장

1심 7년형···기술유출 범죄 '철퇴'
삼성전자 경쟁 中창신메모리 이직

19일 서울중앙지법 형사합의25부(지귀연 부장판사)는 삼성의 18나노 D램 공정 기술을 중국으로 빼돌린 김 씨에 대해 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 징역 7년과 벌금 2억 원을 선고하고 법정 구속했다. 이번 1심 판결 형량은 역대 기술 유출 범죄 중 가장 높은 수준이다. 같은 혐의로 기소된 협력사 전 직원 방 모 씨와 김 모 씨도 각각 징역 2년 6개월, 징역 1년 6개월의 실형이 선고됐다. 나머지 공범들에 대해서는 징역형 집행유예가 선고됐다.

재판부는 “국가 핵심 기술에 해당하는 삼성전자의 18나노 D램 공정 정보를 부정하게 취득해서 이를 공개·누설·사용하는 데까지 이르렀다는 공소사실이 상당 부분 유죄로 인정된다”고 했다. 이어 “삼성전자가 18나노 D램 제품 개발과 양산에 성공할 때까지 들인 비용을 감안할 때 삼성전자가 입은 피해 규모는 어마어마한 액수에 이를 것이라고 쉽게 예상된다”고 밝혔다.

삼성전자는 18나노 D램 개발을 위해 2012년 4월부터 2016년 2월까지 1조 6000억 원을 투입한 것으로 알려졌다. 기술 개발 전까지 삼성전자가 수십 년간 쌓아온 기술 노하우까지 더하면 가치는 더 높아질 수밖에 없다. 삼성전자는 법원에 각종 피해액을 추산해 제출했는데 말 그대로 천문학적인 액수다. 창신메모리는 이후 중국의 대표 D램 반도체 업체로 자리매김하며 삼성전자의 지위를 위협하기 시작했다.

검찰은 이들이 D램 후발 주자인 중국의 창신메모리로 2016년 이직하면서 18나노 D램 기술을 빼돌리고 그 대가로 수백억 원대 금품을 수수한 것으로 보고 지난해 1월 구속 기소했다. 이들은 또 창신메모리가 반도체 증착 장비 개발을 결정하자 국내 중견기업의 반도체 증착 장비 설계 기술 자료를 무단으로 유출한 혐의도 있다.