지난 3월 진행한 오딧서 고객사 최저 요구치 이상 나와...6월 최종 승인 기대
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29일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3월 진행된 엔비디아의 온양 캠퍼스 점검(audit)에서 최소 요건을 충족하는 성과를 거뒀다. 업계 관계자는 "오딧 이후 내부에서는 퀄 테스트 최종 통과에 거는 기대가 크다"며 "올해 6월을 목표 시점으로 두고 사업에 사활을 거는 중"이라고 전했다.

삼성전자 온양 캠퍼스는 회사의 대표적인 후공정 전문 사업장으로 꼽히는 곳이다. D램, 낸드 플래시, CMOS 이미지 센서(CIS) 등 제품의 패키징과 테스트가 이뤄진다. 반도체 퀄 테스트 통과 전 실시하는 오딧은 칩의 ▲전기적∙물리적 특성 ▲발열, 수명 등 신뢰성 ▲이상 발생 시 대응 절차가 명확한지 등을 따져보는 절차다.

삼성전자는 엔비디아 퀄 테스트 통과에 사활을 걸고 있다. 고부가가치의 HBM 사업 부진이 실적 부진과 시장점유율 하락으로 이어지고 있기 때문이다.

현재 엔비디아는 '인공지능(AI) 가속기' 최고 사양에 HBM3E 12단 제품을 쓰고 있다. SK하이닉스와 마이크론이 HBM3E 제품을 공급하고 있다.

HBM시장에서 뒤처지면서 삼성전자 반도체 실적도 내림세다. 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문의 영업이익은 지난해 ▲2분기 6조5000억원 ▲3분기 3조9000억원 ▲4분기 2조9000억원으로 떨어졌다. 시장조사업체 카운터포인트리서치가 최근 발표한 자료에서는 엔비디아에 HBM3E를 납품 중인 SK하이닉스가 올해 1분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준으로 1위(36%)를 달성했다. 삼성전자는 33년 만에 2위(34%)로 밀렸다.  

퀄 테스트 최종 승인 목표 시점이 전영현 삼성전자 부회장 부임 1년과 비슷한 시기인 것도 관심을 끈다. 지난해 5월 DS부문장(부회장)으로 취임한 전 부회장은 'D램 사업 경쟁력 회복'을 화두로 꺼냈다.

전 부회장은 취임 이후 메모리 사업부장까지 겸임하면서 HBM 차세대 제품 개발을 사실상 진두지휘했다. 지난 2월에는 10나노급 5세대(1b) D램 개선 샘플을 직접 들고 미국 엔비디아를 방문한 것으로 알려졌다.

업계 관계자는 "반도체 사업 부문의 모든 영역에서 비용을 최소화했지만, 메모리 사업만은 투자를 계속해왔다"고 말했다.

삼성전자는 차세대 제품인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에서는 반드시 시장 주도권을 확보하겠다는 각오다. 지난 3월 개최된 회사의 정기 주주총회에 참석한 전 부회장은 "HBM3E 12단 제품을 빠르게 시장에 공급하고, 차세대 제품인 HBM4에서 또한 고객 수요에 적극 대응할 계획"이라고 말하기도 했다.

지난 1분기 실적발표 후 진행된 컨퍼런스콜에서는 "10나노급 6세대(1c) D램 기반의 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 개발 중"이라고 말했다. 업계 관계자는 "하이브리드 본딩이 처음 적용되는 HBM4 제품의 구체적인 윤곽은 올해 말이나 내년 초 즈음에 나올 것"으로 예상했다.

출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉(http://www.thelec.kr)  ​