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에이수스(ASUS) 해명: 메모리 웨이퍼 팹 투자 계획 없음

IT홈 12월 26일 소식에 따르면, 에이수스(ASUS)는 오늘 "DRAM 메모리 제조 진출"에 관한 언론 보도에 대해 해당 기업은 메모리 웨이퍼 팹(공장)에 투자할 계획이 없다고 해명했습니다.

에이수스 대변인은 기업이 메모리 공급업체와의 협력 관계를 지속적으로 심화하고 있으며, 제품 규격 조정 및 제품 수명 주기 최적화 등의 방식을 통해 시장의 수급 상황에 대응하고 있다고 밝혔습니다.

IT홈이 파악한 바에 따르면, 관련 소문의 근원은 이란 매체인 sakhtafzarmag이며, 해당 보도의 본래 의미는 "메모리 공급 위기가 지속될 경우, 에이수스가 2026년 2분기에 메모리 모듈 시장에 진출할 계획이 있다"는 것이었습니다.

DRAM 메모리 웨이퍼 팹 건설에는 최소 2년의 시간과 막대한 비용이 소요될 뿐만 아니라 생산 공정 IP 라이선스 등의 사항이 얽혀 있으며, 동시에 시장 상황 변화에 따른 리스크에 직면하게 됩니다. 반면 메모리 모듈(메모리 카드) 제조의 경우, 에이수스는 이미 해당 분야에서 시스(SiS)와 합작한 기업인 ASint(위롄)을 보유하고 있습니다.