12월 24일 기사입니다.

삼성전자의 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)가 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’에 탑재될 메모리 성능 테스트에서 최고 수준의 평가를 받은 것으로 알려졌다.

외신 보도에 따르면, 엔비디아 실무진은 지난주 삼성전자를 직접 방문해 HBM4 성능 테스트 결과를 공유했으며, 이 과정에서 삼성의 HBM4가 동작 속도와 전력 효율 부문에서 경쟁사를 압도했다는 평가를 내린 것으로 전해졌다.

특히 엔비디아가 차세대 AI 가속기를 위해 요구한 메모리 속도는 핀당 10Gbps 수준이었으나, 삼성전자는 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용해 11Gbps 이상의 속도를 안정적으로 구현한 것으로 알려졌다.

이번 결과는 과거 HBM3E 세대에서 제기됐던 발열 및 수율 이슈를 삼성전자가 사실상 해소했음을 보여주는 신호로 해석된다. 업계에서는 이를 계기로 삼성전자가 AI 메모리 시장에서 다시 한 번 주도권을 확보할 수 있을 것이라는 관측이 나온다.