[단독]삼성전자, 10나노급 6세대 D램 개발 목표 6개월 미뤘다

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xxveryhappyxx 14.♡.124.238

2025.01.20 20:52

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삼성전자가10나노(나노미터,10억분의1m) 급 6세대(1c) D램의 개발 목표 시점을 올해 6월로 미뤘다. 당초 지난해 연말에 개발을 최종 완료하고 양산에 돌입하려 했지만, 수율이 올라오지 않아 반년 가량 개발 시점을 늦췄다.1cD램 개발이 예정대로 되지 않으면 올해 하반기 양산을 목표로 했던 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에도 차질이 생길 수 있다.

20일 업계에 따르면 삼성전자의1cD램 개발이 난항을 겪고 있다. 지난해 말쯤 처음으로 정상 작동하는 칩을 하나 확보하긴 했지만, 원하는 수율에 도달하지 못했다. 양산으로 넘어가기 위한 개발 시점의 수율은 통상60~70%를 기준으로 한다.

이 때문에 내부적으로1cD램의 수율을70% 정도로 끌어올리는 개발 목표를 지난해12월에서 올해 6월로 수정한 것으로 전해진다. 업계는 세대별 개발 텀을 보통18개월 정도로 본다. 삼성전자는2022년12월10나노급 5세대(1b) D램을 개발하고,2023년 5월엔 양산을 발표했는데, 이후1cD램 소식이 없다.

삼성전자가1c개발에 애를 먹으면서 경쟁사보다도 뒤처질 수 있다는 우려도 제기된다.SK하이닉스는 지난해 8월 개발을 이미 발표했고, 마이크론은 올해 4월로 내부 로드맵을 세웠다. 삼성전자가 6월 개발을 완료하면 글로벌 메모리 3사 가운데 가장 늦는 셈이다.

1cD램 개발이 늦어지면 자연스레 양산도 뒤로 밀릴 수 있다. 개발부터 양산까지의 소요 기간을 6개월 가량으로 치면, 삼성전자는 올해 말이 돼서야1cD램 양산이 가능할 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난해 3월 말 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon)2024'에서 밝힌 계획을 지키지 못하게 됐다. 삼성전자는 당시 차세대 D램 로드맵을 공개하며,1cD램을 지난해 연말쯤 양산할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자가 사활을 걸고 있는HBM개발에도 영향을 준다.1c의 경우 개발 코어 제품을DDR5(더블데이터레이트5)로 하는 경우가 많은데, 파생 제품인HBM은 코어제품보다 개발 시점이 그 뒤다. 코어 제품이 올해 연말에 양산되면,HBM4양산은 올해를 넘길 수도 있다는 의미다. 삼성전자는HBM4에1c기술을 적용해 올해 하반기 양산하겠다고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 올해 상반기 D램 개발에 전력을 다해 수율을 최대한 빠른 시일 내에 끌어올린다는 계획이다. 경쟁사인SK하이닉스는HBM4에 한 세대 전 공정인10나노급 5세대(1b)를 적용하며 안정을 택한 반면,HBM시장 추격자인 삼성전자는HBM4에1c첨단 공정을 적용하며 승부수를 띄운 만큼 한시가 급한 상황이다. 세대가 거듭할수록 첨단 공정으로, 성능과 전력 효율이 더 좋아진다.

반도체 업계 관계자는 "삼성전자가1cD램의 설계도 일부 수정하는 것으로 알고 있다"며 "개발 시점을 최대한 앞당기려 노력할 것"이라고 말했다.

하이닉스한테 지는 삼성...

이제 국산 반도체 물건은 따질것도 없이 하이닉스 네요.

오너리스크 둘다 있는데 하이닉스가 그나마...

꼴보니 AMD 엔디비아에 납품 기일은 맞출 수 있을까요.

어쩌면 수율 문제로 구매 안할지도 겠군요...