삼성, 판도를 바꾸는 스택형 3D HBM 메모리 칩 올해 출시 예정
페이지 정보
본문
번역기(DeepL)로 인한 오역이 있을 수 있습니다.
두개의 기사를 이어 붙였습니다.
https://hothardware.com/news/samsungs-stacked-3d-hbm-memory-chips-could-arrive-this-year
삼성, 판도를 바꾸는 스택형 3D HBM 메모리 칩 올해 출시 예정
삼성이 올해 말 고대역폭 메모리(HBM)용 3D 패키징을 출시할 준비가 되어 있다고 합니다. 이는 삼성이 2025년에 AI 시장을 겨냥한 HMB4 제품을 출시할 수 있게 해줄 핵심 기술입니다.
이 새로운 기술은 GPU 위에 얇은 기판으로 HBM을 수직으로 쌓아 두 기판 간의 통신을 가능하게 합니다. 이 구성은 추론 처리 및 데이터 학습과 같이 AI를 구동하는 데 핵심적인 워크로드에서 성능을 향상시킵니다. 삼성은 이 새로운 종류의 패키징을 삼성 첨단 인터커넥션 기술-D 또는 SAINT-D라고 부르고 있습니다.
3D 패키징이 제공하는 이점을 활용하고자 하는 기업은 삼성의 파운드리 부서와 협력하여 GPU를 제조한 후 첨단 패키징 부서에서 HBM 칩을 통합해야 합니다. 삼성 관계자는 "3D 패키징은 전력 소비와 처리 지연을 줄여 반도체 칩의 전기 신호 품질을 개선한다"고 말합니다.
향후 삼성은 데이터 전송 속도를 크게 향상시킬 수 있는 광학 소자를 일체형으로 통합할 계획입니다. 이는 통합된 패키지인 AI 가속기를 만들기 위한 노력의 일환입니다. 이 새로운 기술은 2027년에 준비될 예정입니다.
삼성은 TSMC와 경쟁하면서 AI 분야를 위해 설계된 칩을 개발하는 기업들을 위한 원스톱 숍으로 자리매김하고 있는 것으로 보입니다. 삼성의 제조 기술이 조만간 둔화될 것 같지 않은 AI 수요 증가에 필요한 성능을 확보하는 데 도움이 되길 바랍니다.
https://www.tomshardware.com/tech-industry/revolutionary-samsung-tech-that-enables-stacking-hbm-on-cpu-or-gpu-arrives-this-year-saint-d-hbm-scheduled-for-2024-rollout-says-report
CPU 또는 GPU에 HBM 메모리를 쌓을 수있는 혁신적인 삼성 기술이 올해 출시됩니다.
- SAINT-D HBM은 2024년 출시 예정이라고 보고서는 밝혔습니다.
- HBM4(2025/26년)보다 앞서 데뷔하는 기술
삼성은 3D 패키징을 위해 세 가지 3D 적층 기술을 포함하는 SAINT(Samsung Advanced Interconnect Technology)라는 플랫폼을 보유하고 있습니다: SRAM용 SAINT-S, 로직용 SAINT-L, CPU나 GPU와 같은 로직 칩 위에 DRAM을 쌓는 SAINT-D가 그것입니다.
SK하이닉스는 수년 동안 SAINT-D를 연구해 왔으며(2022년에 공식적으로 발표), 올해 이 기술이 상용화될 것으로 보이며, 이는 세계 최대 메모리 제조업체이자 선도적인 파운드리 업체로서 주목할 만한 이정표가 될 것입니다.
삼성의 새로운 3D 패키징 방식은 실리콘 인터포저를 통해 HBM 칩과 GPU를 수평으로 연결하는 기존 2.5D 기술과는 달리 프로세서 위에 HBM 칩을 수직으로 쌓는 방식입니다. 수직 적층 방식은 실리콘 인터포저가 필요 없지만 정교한 공정 기술로 제작된 새로운 HBM 메모리용 베이스 다이가 필요합니다.
3D 패키징 기술은 더 빠른 데이터 전송, 더 깨끗한 신호, 전력 소비 감소, 지연 시간 감소 등 HBM에 상당한 이점을 제공하지만 패키징 비용이 상대적으로 높습니다. 삼성은 메모리 사업부에서 HBM 칩을 생산하고 파운드리 사업부에서 팹리스 업체를 위해 실제 프로세서를 조립하는 턴키 서비스로 이 첨단 3D HBM 패키징을 제공할 계획입니다.
삼성이 올해 SAINT-D로 정확히 무엇을 제공할 계획인지는 아직 불분명합니다. 로직 다이에 HBM을 탑재하려면 적절한 칩 설계가 필요하며, 2024년에서 2025년 상반기에 출시될 예정인 잘 알려진 회사의 프로세서 중 HBM을 탑재하도록 설계된 프로세서는 아직 알려지지 않았습니다.
삼성은 2027년까지 올인원 이기종 통합 기술을 도입하는 것을 목표로 하고 있습니다. 이 미래 기술을 통해 두 층의 로직 칩, HBM 메모리(인터포저), 공동 패키지 광학(CPO)까지 통합할 수 있게 될 것입니다.
CaTo님의 댓글
CaTo님의 댓글의 댓글
zkasten님의 댓글
로직에서 발생하는 발열이슈는 설계부터 삼파와 코웍해야할거같은데, 엑시노트 같은거에서 생산결과 보여줘야하지않을까요?
개내대래매배새님의 댓글
비꼬는거 아니고 진짜 우리 기업들 잘 됬으면 좋겠어서 하는 말입니다.